|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
68 656
|
2.41
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
498
|
3.87
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
58 916
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
56
|
8.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
2.03
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
13 898
|
1.72
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.05
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
392 985
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
75 939
|
2.25
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
93 546
|
1.02
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
64
|
1.26
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
48
|
1.39
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
7 977
|
1.60
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
39 625
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
87 957
|
1.06
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
109 440
|
1.45
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
957 857
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
|
7 342
|
4.96
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
DC COMPONENTS
|
16 725
|
5.83
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
MIC
|
2 400
|
14.96
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
MASTERCHIP
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YJ
|
54 109
|
7.71
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
GALAXY ME
|
53
|
6.32
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
SUNTAN
|
6 088
|
8.72
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YANGJIE
|
19 200
|
7.27
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
143.64
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
4
|
160.02
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO TECH
|
2 720
|
89.89
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
269
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
|
3 015
|
22.08
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
JSMICRO
|
1 005
|
24.56
|
|