SE-600-48

AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. вых=-5+10%Uном, изоляция 3000V AC, в кожухе 247x127х63.5мм, -20:+60°С

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SE-600-48 (MW)	346	9 647.60

AC-DC, 600Вт, вход 180...264VAC, 47...63Гц / 254...370VDC, , выход 48В/0…12.5A, рег. вых=-5+10%Uном, изоляция 3000В AC, в кожухе 247x127х63.5мм, -20…+60°С

Версия для печати

Технические характеристики SE-600-48

	MHS-013
Производитель	Mean Well Enterprises Co., Ltd.
Мощность	600 Вт
Конструктив	в кожухе
Режим стабилизации ток/напряжение	CV
Номинальное входное напряжение AC	230 В
Количество выходов	1 шт.
Эффективность	88 %
Шум	200 мВ
Переключатель входного напряжения	1
Однофазное подключение	есть
Напряжение изоляции вход-выход	3 кВ
Напряжение изоляции вход-корпус	1.5 кВ
Компенсация падения напряжения	1
Вентилятор	1
Защита от короткого замыкания	есть
Защита от перегрузки	есть
Защита от перенапряжения	есть
Защита от перегрева	есть
Размер	247.0x127.0x63.5
Рабочая температура	-20...60 °C
Температура хранения	-40...85 °C
Сертификат безопасности	UL60950-1 approved
Сертификат ЭМИ	Design refer to EN55022 class B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG DEVICES
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...			1 362.40
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	Analog Devices Inc
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	КИТАЙ
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	AD1
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	NO NAME
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	405
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	Analog Devices Inc
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	4-7 НЕДЕЛЬ	584
ADG411BNZ		ANALOG DEVICES
ADG411BNZ		ANALOG
ADG411BNZ
ADG411BNZ		Analog Devices Inc
ADG411BNZ		4-7 НЕДЕЛЬ	701
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).			230.96
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTR
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST1
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	SGS THOMSON
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	321
К1156ЕН5ВП	Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	НТЦ СИТ
К1156ЕН5ВП	Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	СИТ
К1156ЕН5ВП	Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
К1156ЕН5ВП	Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	НТЦ