|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
298ФН8 |
|
|
|
80
|
192.78
|
|
|
|
298ФН8 |
|
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
|
|
230.96
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
321
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
НТЦ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
|
617
|
77.28
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРО-М
|
8 130
|
157.50
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
ММ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
ВИСМУТ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А 80-89Г |
|
|
|
|
|
|