Версия для печати
Технические характеристики FQA24N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4500pF @ 25V
Power - Max	290W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

FQA24N50 (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FQA24N50 datasheet 734.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2200МКФ 35В (16X32, АКС)		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		2200МКФ 35В (16X32, АКС)		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В			92.00
		AT28C256-15PC			ATMEL
		AT28C256-15PC
		AT28C256-15PC			4-7 НЕДЕЛЬ	217
		ECA-10-2200UF		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	HITANO
		ECA-10-2200UF		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В			31.64
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...			369.80
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	NSC
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR	12
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	NATIONAL SEMIC
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	NS
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	YOUTAI	989	29.68
		LM2595S-ADJ		СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	631
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).			230.96
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTR
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST1
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	SGS THOMSON
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	700

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"