|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
268
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
217
|
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
INTERSIL
|
8
|
189.00
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
|
38
|
203.50
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
1
|
|
|
|
|
|
DG411DJ |
|
Ключ аналоговый, четыре прецизионных аналоговых переключателя, 13.5В ... 16.5В, 35Ом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
608
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
|
|
230.96
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
700
|
|
|
|
|
ОНЦ-ВГ-11-7/16-РМ |
|
|
|
|
35.64
|
|
|
|
ОНЦ-ВГ-11-7/16-РМ |
|
|
КОМ2
|
|
|
|
|
|
ОНЦ-ВГ-11-7/16-РМ |
|
|
КОМ 2
|
|
|
|
|
|
ОНЦ-ВГ-11-7/16-РМ |
|
|
КОПИР
|
|
|
|