Версия для печати
Технические характеристики FQA24N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4500pF @ 25V
Power - Max	290W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

FQA24N50 (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FQA24N50 datasheet 734.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG DEVICES
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...			1 362.40
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	Analog Devices Inc
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	КИТАЙ
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	AD1
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	NO NAME
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	405
		ADG411BNZ			ANALOG DEVICES
		ADG411BNZ			ANALOG
		ADG411BNZ
		ADG411BNZ			Analog Devices Inc
		ADG411BNZ			4-7 НЕДЕЛЬ	701
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	1 113	17.81
		IRFZ46		Hexfet® power mosfet	VISHAY
		IRFZ46		Hexfet® power mosfet
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...	MEANWELL
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...	MW	377	8 215.44
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...	КИТАЙ
		SE-600-48		AC/DC, 600Вт, вход 180..264VAC, 47..63Гц / 254..370VDC, выход 48В/0:12.5A, рег. ...	MEAN WELL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"