Версия для печати
Технические характеристики FQA24N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4500pF @ 25V
Power - Max	290W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

FQA24N50 (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FQA24N50 datasheet 734.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В			33.60
		2200МКФ 25В (13X26) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		2200МКФ 25В (13X26) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В			43.20
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	Analog Devices Inc
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	4-7 НЕДЕЛЬ	584
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).			230.96
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTR
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST1
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	SGS THOMSON
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	321
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	НТЦ СИТ
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	СИТ
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	НТЦ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"