| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 5A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 Isolated Full Pack |
| Корпус | TO-220FP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.34
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
2.00
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
63 320
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
 |
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
|
2
|
325.08
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
32
|
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
INFINEON
|
8
|
180.07
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
|
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
|
213
|
64.75
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ONS
|
3 136
|
19.85
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA06TB120PBF |
|
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA06TB120PBF |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA06TB120PBF |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
