IRFB4321PBF
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 33A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 85A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4460pF @ 50V |
| Power - Max | 350W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4321PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4448W |
|
Si-Diode 75V 150mA | DIOTEC | 68 | 1.81 | |||
| 1N4448W |
|
Si-Diode 75V 150mA | DC COMPONENTS |
|
|
|||
| 1N4448W |
|
Si-Diode 75V 150mA | 86 400 |
2.00 >100 шт. 1.00 |
||||
| 1N4448W |
|
Si-Diode 75V 150mA | JSCJ | 167 030 |
1.88 >100 шт. 0.94 |
|||
 |
2РМГД33Б32Ш5Е2Б |
|
323 | 1 968.00 | ||||
|
|
2РМГД33Б32Ш5Е2Б |
|
РОССИЯ |
|
|
|||
| B65887-E-R87, N87, RM14 | EPCOS |
|
|
|||||
 |
 |
CR123ASL |
|
Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... | EEMB |
|
|
|
|
|
|
CR123ASL |
|
Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... |
|
|
||
| К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10% | ПОЛИКОНД |
|
|
|||||
| К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10% |
|
|
