IRFB4321PBF
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 33A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 85A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4460pF @ 50V |
| Power - Max | 350W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4321PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B66397-G-X187, N87, ETD59 (1 ШТ.) | EPCOS |
|
|
|||||
 |
 |
CR123ASL |
|
Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... | EEMB |
|
|
|
|
|
|
CR123ASL |
|
Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... |
|
|
||
| SM712 | SEM |
|
|
|||||
| SM712 | SMTC |
|
|
|||||
| SM712 | ANBON | 383 | 5.19 | |||||
| SM712 | 9 600 | 3.24 | ||||||
| SM712 | FUXIN | 2 737 | 5.23 | |||||
| SM712 | MDD | 4 789 | 8.24 | |||||
| SM712 | DOWO | 9 153 | 5.65 | |||||
| SM712 | TECH PUB | 94 078 | 5.12 | |||||
| SM712 | HOTTECH | 15 658 | 5.92 | |||||
| SM712 | YJ | 19 200 | 14.30 | |||||
| SM712 | MSKSEMI |
|
|
|||||
| SM712 | SUNTAN | 28 | 4.30 | |||||
| SM712 | XSEMI | 321 | 3.10 | |||||
| SM712 | YANGZHOU YANGJIE |
|
|
|||||
| SM712 | KEEN SIDE |
|
|
|||||
| SM712 | 4309 |
|
|
|||||
| SM712 | 7478 |
|
|
|||||
| SM712 | TRR | 7 200 | 2.57 | |||||
| К78-2, 0.01 МКФ, 1600 В, 10% | ПОЛИКОНД |
|
|
|||||
| К78-2, 0.01 МКФ, 1600 В, 10% |
|
|
||||||
| СР50-135ФВ |
|
|
