![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 33A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 85A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4460pF @ 50V |
Power - Max | 350W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB4321PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4448W |
![]() |
Si-Diode 75V 150mA | DIOTEC | 68 | 1.81 | |||
1N4448W |
![]() |
Si-Diode 75V 150mA | DC COMPONENTS |
![]() |
![]() |
|||
1N4448W |
![]() |
Si-Diode 75V 150mA | 86 400 |
2.00 >100 шт. 1.00 |
||||
1N4448W |
![]() |
Si-Diode 75V 150mA | JSCJ | 167 030 |
1.88 >100 шт. 0.94 |
|||
![]() |
2РМГД33Б32Ш5Е2Б |
![]() |
323 | 1 968.00 | ||||
![]() |
2РМГД33Б32Ш5Е2Б |
![]() |
РОССИЯ |
![]() |
![]() |
|||
B65887-E-R87, N87, RM14 | EPCOS |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
CR123ASL |
![]() |
Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... | EEMB |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
CR123ASL |
![]() |
Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... |
![]() |
![]() |
||
К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10% | ПОЛИКОНД |
![]() |
![]() |
|||||
К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10% |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|