Версия для печати
Технические характеристики ICB1FL02G

Корпус	PG-DSO-18
Корпус (размер)	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 18 leads
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	10.5 V ~ 17.5 V
Ток выходной	650µA
Частота	20 ~ 100 kHz
Тип	PFC/Ballast Controller
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequency	20 ~ 100 kHz

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры освещения

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA	6
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	Vishay/Siliconix
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY/IR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SILICONIX
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SAMSUNG
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W		4	114.66
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W		426	59.98
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
		IRFP244		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP244		Транзистор полевой	VISHAY
		IRFP244		Транзистор полевой			220.28
		IRFP244		Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
		LM2931Z-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2931Z-5.0			ON SEMICONDUCTOR
		LM2931Z-5.0					47.20
		LM2931Z-5.0			NSC
		LM2931Z-5.0			ON SEMICONDUCTOR
		LM2931Z-5.0			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM2931Z-5.0			TEXAS
		LM2931Z-5.0			4-7 НЕДЕЛЬ	400
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	ON SEMICONDUCTOR
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	MOTOROLA
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	FRS/MOT
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	FRS
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В		13	101.75
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	MOTOROLA
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	ON SEMICONDUCTOR
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC34163P		ИМС УПР.ПРЕОБР.2.5-40В	4-7 НЕДЕЛЬ	401

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"