| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
240
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
|
|
288.00
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
747
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
|
2
|
272.00
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
521
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
2.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
265 944
|
2.39
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
13 074
|
8.11
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
8
|
3.97
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
40
|
2.07
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
21 577
|
4.76
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
8 908
|
2.00
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.61
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
2.94
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
28
|
15.37
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
|
70
|
55.44
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
480
|
|
|