| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD820AR |
|
Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD820AR |
|
Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
|
45
|
464.94
|
|
|
|
|
AD820AR |
|
Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD820AR |
|
Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD820AR |
|
Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
AD8651ARZ |
|
Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8651ARZ |
|
Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD8651ARZ |
|
Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8651ARZ |
|
Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8651ARZ |
|
Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8651ARZ |
|
Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
|
|
486.00
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ADG734BRUZ |
|
4 ключа однополюсных на два направления, Uп=+3В, 200МГц, -40°C..+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
2.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
204 344
|
2.72
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
13 074
|
5.38
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
1
|
4.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
40
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
14 557
|
5.67
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
8 812
|
2.50
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.96
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.33
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
|
|
172.00
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
ВОURNS
|
|
|
|