SI9410DY


Купить SI9410DY по цене 92.00 руб.  (без НДС 20%)
SI9410DY
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI9410DY (SILICONIX.) 1 3-4 недели
Цена по запросу
SI9410DY (FAIRCHILD.) 296 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI9410DY

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 10V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NXP 2 513 2.10 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SIEMENS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   DIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   DC COMPONENTS 13 743 1.45 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   DIOTEC 50 460 2.06 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NXP 337 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   OTHER 1 165 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   PHILIPS 552 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SIEMENS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)     Заказ радиодеталей 3.00 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   INFINEON 59 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NEXPERIA 2 164 2.10 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD 268 1.73 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   GALAXY ME 811 1.38 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   HOTTECH 304 880 1.62 
>100 шт.   0.81 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   WUXI XUYANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   YJ 381 066 1.24 
>100 шт.   0.62 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   JSCJ 41 280 1.64 
>100 шт.   0.82 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SUNTAN 292 1.18 
  C8051F410-GQR     SILAB 541 381.95 
  C8051F410-GQR     SLAB Заказ радиодеталей цена радиодетали
  C8051F410-GQR       388 323.44 
  C8051F410-GQR     SILICON LABS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  C8051F410-GQR     SILICON LABS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  C8051F410-GQR     4-7 НЕДЕЛЬ 310 цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     40 800 3.15 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH 201 904 3.99 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HUASHUO 16 508 5.26 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI 83 282 2.86 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   UMW 8 000 3.10 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   SUNTAN 29 581 5.41 
    MAX809TEURT     MAXIM Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAX809TEURT       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...     418 11.04 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   КРЕМНИЙ 800 10.96 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   СВЕТЛАНА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   БРЯНСК 1 341 12.60 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   НАЛЬЧИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   РИГА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   ИНТЕГРАЛ 1 14.34 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход