Версия для печати
Технические характеристики SI9410DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	ST MICROELECTRONICS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В		4	33.30
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMEN
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	HGSEMI	1 648	10.21
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	4-7 НЕДЕЛЬ	510
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	3.20
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	247 161	2.58
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	17 883	5.30
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	169	2.03
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 000	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	22 344	4.99
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	11 404	2.21
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.81
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.16
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	США
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	AD1
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	NO NAME
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	765
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	НОВОСИБИРСК
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	ХАБАРОВСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 103	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 180	46.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 640	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"