Версия для печати
Технические характеристики SI9410DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS INSTRUMENTS	56	35.80
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	ST MICROELECTRONICS
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В			24.00
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS INSTRUMEN
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	HGSEMI	2 722	11.72
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	4-7 НЕДЕЛЬ	428
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	302 897	2.56
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 074	8.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	8	4.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	40	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	19 861	5.13
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	8 892	2.14
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.78
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.12
		MAX634EPA			MAXIM
		MAX634EPA
		MAX634EPA			MAX
		MAX634EPA			Maxim Integrated Products
		MAX634EPA			4-7 НЕДЕЛЬ	387
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MICREL
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	Micrel Inc
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MCH/MCRL
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	НАЛЬЧИК
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	КВАРЦИТ
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	ТОМСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"