Версия для печати
Технические характеристики BYW80-200

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.15V @ 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Current - Average Rectified (Io)	10A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 200V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	35ns
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	TO-220AC

BYW80-200 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BYW80-200 datasheet 76.39Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		100	907.20
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 402
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ВОСХОД	2	192.00
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера		137	82.80
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	НЗПП
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	МИКРОН	12	252.00
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	РОДОН	8	192.00
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	КОНТИНЕНТ
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	КАЛУГА	7	105.00
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	АЗОН
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	КОНТИНЕТ
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	НОВОСИБИРСК
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ЭКСИТОН
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ПАВЛОВ ПАСАД
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ФОРМ
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ФОРМ МОСКВА
		564ТМ2		2 двухтактных D триггера	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	VISHAY
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W			275.84
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	Vishay/Siliconix
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	КИТАЙ
		SI9118DY-T1			SILICONIX
		SI9118DY-T1					1 610.00
		SI9118DY-T1			SILICONIX
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		10 352	11.04
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	10 628	13.44
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	16.63
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	3 520	26.86
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"