Версия для печати
Технические характеристики КС518А1

Мощность рассеяния,Вт	0.34
Минимальное напряжение стабилизации,В	16
Номинальное напряжение стабилизации,В	18
Максимальное напряжение стабилизации,В	19
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	45
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAI/QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LIT	15 088	10.39
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	COSMO
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AGILENT TECHNOLOGIES
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD	180	31.50
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QT OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC COMPONENTS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Lite-On Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Vishay/Semiconductors
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Avago Technologies US Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ISOCOM
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVLT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	71
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT	780	25.20
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LTV
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	MOTOROLA
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В		865	44.40
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLLIGHT	5 872	23.76
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ONS-FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EL
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	КИТАЙ
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	YOUTAI	132	7.58
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVL	1 930	11.82
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOSHIBA	1	11.05
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AVAGO	28	31.50
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	150
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	35
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	76
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	975
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	DC COMPONENTS	5 908	6.42
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD			16.00
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	DIOTEC
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	MIC
		К1156ЕУ2АТ					480.00
		К1156ЕУ2АТ			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2АТ			СИТ	28	756.00
		К1156ЕУ2АТ			НТЦ
		К1156ЕУ2АТ			БРЯНСК	343	1 113.00
		К1156ЕУ2АТ			КРЕМНИЙ	8	917.44
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		8 520	11.04
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	10 628	13.58
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	2 880	21.70
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		658	15.46
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	16.40
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	340	16.80
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	2 036	15.75
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	12.10
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"