Версия для печати
Технические характеристики КС518А1

Мощность рассеяния,Вт	0.34
Минимальное напряжение стабилизации,В	16
Номинальное напряжение стабилизации,В	18
Максимальное напряжение стабилизации,В	19
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	45
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BYW80-200			NXP
		BYW80-200			ON SEMICONDUCTOR
		BYW80-200			ST MICROELECTRONICS
		BYW80-200					63.32
		BYW80-200			STMicroelectronics
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	DC COMPONENTS	5 900	3.90
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD			16.00
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	DIOTEC
		UF5404		Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD	MIC
		КД243Д				232	3.68
		КД243Д			НПП ТЭЗ
		КД243Д			ТОМИЛИНО
		КД243Д			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД243Д			СЗТП	80	8.59
		КД243Д			RUS
		КД243Д			ТЕРРА
		КД243Д			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		9 600	7.36
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	15 216	13.58
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	1 520	21.70
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	20
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		267	22.68
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.32
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 112	14.32
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"