| Мощность рассеяния,Вт | 0.34 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 16 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 18 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 19 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 45 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-3a |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2Т506А (НИКЕЛЬ) |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
534
|
14.71
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
905
|
22.73
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
180
|
31.50
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
780
|
25.20
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
855
|
44.40
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
2 000
|
24.80
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
7 460
|
10.31
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
232
|
12.10
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
16.66
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AVAGO
|
28
|
31.50
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
230.58
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
|
|
119.28
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
740
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
|
|
480.00
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
СИТ
|
28
|
756.00
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
НТЦ
|
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
БРЯНСК
|
343
|
1 113.00
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
846.72
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 422
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 120
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
