Версия для печати
Технические характеристики КС518А1

Мощность рассеяния,Вт	0.34
Минимальное напряжение стабилизации,В	16
Номинальное напряжение стабилизации,В	18
Максимальное напряжение стабилизации,В	19
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	45
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		234	758.50
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	2	1 272.00
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 390
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	VISHAY
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W		16	351.50
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	Vishay/Siliconix
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	КИТАЙ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		8 352	11.04
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	15 200	13.58
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	2 800	21.70
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	20	80	1.21
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КП304А		Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...	СВЕТЛАНА
		КП304А		Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...			272.40
		КП304А		Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...	RUS
		КС407Д		стекло		6 933	7.03

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"