| Мощность рассеяния,Вт | 0.34 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 16 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 18 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 19 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 45 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-3a |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BYW80-200 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
|
|
63.32
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SI9118DY-T1 |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SI9118DY-T1 |
|
|
|
|
1 610.00
|
|
|
|
|
SI9118DY-T1 |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
 |
|
КД243Д |
|
|
|
248
|
5.89
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
СЗТП
|
80
|
7.56
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
ТЕРРА
|
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 414
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 120
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
|
4 644
|
7.62
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
НЗПП
|
744
|
17.56
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
СЗТП
|
40
|
68.04
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
