| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
234
|
758.50
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
2
|
1 272.00
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 390
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ВОСХОД
|
2
|
291.00
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
|
662
|
496.80
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
НЗПП
|
160
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
МИКРОН
|
316
|
636.00
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
РОДОН
|
8
|
232.80
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
КОНТИНЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
КАЛУГА
|
11
|
159.00
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
КОНТИНЕТ
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ПАВЛОВ ПАСАД
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ФОРМ
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ФОРМ МОСКВА
|
|
|
|
|
|
|
564ТМ2 |
|
2 двухтактных D триггера
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
|
|
63.32
|
|
|
|
|
BYW80-200 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
|
16
|
351.50
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
8 352
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
15 200
|
13.58
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 800
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
80
|
1.21
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
