UF5404
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 400V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-201AD, Axial |
| Корпус | DO-201AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | 110 | 462.50 | ||
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | МИНСК | 76 | 626.50 | |
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | ИНТЕГРАЛ | 1 352 |
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | АЛЬФА РИГА |
|
|
|
| BZX55-C18 | DC COMPONENTS | 42 340 |
2.00 >100 шт. 1.00 |
|||||
| BZX55-C18 | KEEN SIDE | 16 000 |
1.22 >100 шт. 0.61 |
|||||
| ECA35В-470МКФ | HITANO |
|
|
|||||
 |
|
NTCLE100E3682JB0 |
|
Vishay/BC Components |
|
|
||
|
|
|
NTCLE100E3682JB0 |
|
VISHAY | 77 593 | 33.30 | ||
|
|
|
NTCLE100E3682JB0 |
|
|
|
|||
| МЛТ-1-100 КОМ 5% |
|
|
