|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
|
2
|
75.60
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
1
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
6 147
|
12.40
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
6 312
|
16.65
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
210
|
11.83
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
55 877
|
3.87
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
16 000
|
10.42
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
2 560
|
6.20
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
110
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
3 720
|
11.48
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
NJM4560M |
|
|
NEW JAPAN RADIO
|
|
|
|
|
|
NJM4560M |
|
|
NEW JAPAN RADIO
|
|
|
|
|
|
NJM4560M |
|
|
NJR
|
|
|
|
|
|
NJM4560M |
|
|
|
|
|
|
|
|
NJM4560M |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
364
|
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
|
|
557.60
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|