Версия для печати
Технические характеристики NJM4560M

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	4 V/µs
Полоса пропускания	10MHz
Ток - входного смещения	40nA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток выходной	4.3mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±4 V ~ 18 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Корпус	8-DMP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	FAIR
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158			45.76
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	NSC
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	Fairchild Semiconductor
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	FSC
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	ONS
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	ONS-FAIR
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	FAIRCHILD
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	TEXAS
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	FULIHAO TECH	272	6.20
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	FULIHAO	2 748	5.19
		LM358M		OP-AMP сдвоенный, сеpия 158	4-7 НЕДЕЛЬ	243
		LM833D			MOTOROLA
		LM833D			ON SEMICONDUCTOR
		LM833D			ST MICROELECTRONICS
		LM833D			MOTOROLA
		LM833D			ST MICROELECTRONICS SEMI	1 920
		LM833D			STMicroelectronics
		LM833D
		LM833D			4-7 НЕДЕЛЬ	32
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	5 183	13.43
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		10 112	7.96
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS	3 054	11.98
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	0.00
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	YOUTAI	69 056	4.03
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TI (TEXAS INSTRUMENTS)	16 000	10.99
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW	2 560	6.20
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW-YOUTAI
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	202
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 362	11.74
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	612
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet			557.60
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"