| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
NXP
|
360
|
1.89
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
SEMTECH
|
5 994
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
435
|
1.13
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DI
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
17 327
|
3.31
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
4
|
1.06
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
|
19 256
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
4 860
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
XXW
|
40 462
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
450
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
8999
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2
|
14.34
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
КТ3102В ЗОЛ. 80-89Г |
|
|
|
80
|
211.68
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
144
|
20.24
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 200
|
33.57
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 002
|
38.16
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
|
МРХ-0,25-10 КОМ-0,05% |
|
|
|
|
|
|