Версия для печати
Технические характеристики GRM31M7U1H104JA01L

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	U2J
Допуск емкости	±5%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	U2J
Номинальное напряжение	50 В
Рабочая температура	-55...125 °C
	Tin Plated Layer
Размер	3.2x1.6x1.1
Емкость	0.1 мкФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Thickness	0.049" (1.25mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC337-040G			ON Semiconductor
		BC337-040G			ONSEMICONDUCTOR
		BC337-040G			ONS	560	6.20
		BC337-040G
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ
		BC817,215			NXP Semiconductors
		BC817,215			NEX
		BC817,215			NXP/NEXPERIA	317	4.49
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	TSC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C			8.00
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	DIOTEC	195	2.17
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS	37 063
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP	5 142
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS SEMIC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	YJ	16 132	4.59
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	HOTTECH
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	KEEN SIDE	720	1.44  >500 шт.   0.48
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	MERRYELC
		GBJ2510					164.00
		GBJ2510			Diodes Inc
		GBJ2510			YJ	2 130	40.66
		GBJ2510			MIC
		GBJ2510			YT
		GBJ2510			LIT
		GBJ2510			HOTTECH	320	35.51
		GBJ2510			YANGJIE
		GBJ2510			YANGJIE (YJ)
		GBJ2510			YANGZHOU YANGJIE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"