| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC337-040G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC337-040G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC337-040G |
|
|
ONS
|
960
|
8.27
|
|
|
|
BC337-040G |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
32 608
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC817,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BC817,215 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
TSC
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
|
400
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
DIOTEC
|
8 515
|
1.86
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
37 063
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
5 142
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
YJ
|
41 404
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
HOTTECH
|
1 600
|
1.03
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
KEEN SIDE
|
240
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
MERRYELC
|
21 512
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
|
|
164.00
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
YJ
|
5 792
|
28.42
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
LIT
|
|
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
HOTTECH
|
320
|
34.11
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
GBJ2510 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|