STP80NF12

Версия для печати

Технические характеристики STP80NF12

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	189nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4300pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP80NF12 (MOSFET)

N-channel 120V - 0.013? - 80A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP80NF12 datasheet
250.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM155R61A104KA01D		MURATA
GRM155R61A104KA01D		MURATA	62 856
GRM155R61A104KA01D		Murata Electronics North America
GRM155R61A104KA01D				16.80
GRM155R61A104KA01D		MUR	191 498	0.80 >1000 шт. 0.16
GRM155R71E103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 25 В	MURATA	80	7.93
GRM155R71E103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 25 В	MURATA	19 200
GRM155R71E103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 25 В	Murata Electronics North America
GRM155R71E103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 25 В	MUR	384 844	0.60 >1000 шт. 0.12
GRM155R71E103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 25 В		1 508	3.20
GRM188R71E104KA01D		MURATA	132	2.07
GRM188R71E104KA01D		MURATA	15 360
GRM188R71E104KA01D		Murata Electronics North America
GRM188R71E104KA01D			184
GRM188R71E104KA01D		MUR	460 340	0.96 >500 шт. 0.32
ВПТ-190.315А/250В
ВПТ6-6-0,63А			1	5.55
ВПТ6-6-0,63А		159
ВПТ6-6-0,63А		160