L6392D
|
|
Версия для печати
| Корпус | 14-SO |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 12.5 V ~ 20 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 290mA |
| Время задержки | 125ns |
| Тип входа | Inverting and Non-Inverting |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G2RL1E12DC |
|
Реле SPDT 1xU 16A 12V 360R 29х12,7x15,7мм | OMRON | 3 638 | 108.57 | |||
| G2RL1E12DC |
|
Реле SPDT 1xU 16A 12V 360R 29х12,7x15,7мм |
|
164.80 | ||||
 |
 |
SFH 484-2 |
|
OSRAM Opto Semiconductors Inc |
|
|
||
|
|
|
SFH 484-2 |
|
OSRAM |
|
|
||
| STM8S207R8T6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6 |
|
|
||||||
| STM8S207R8T6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 478 |
|
|||||
 |
|
STP60NF10 |
|
Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP60NF10 |
|
Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP60NF10 |
|
Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP60NF10 |
|
Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) |
|
|
||
|
|
|
STP60NF10 |
|
Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) |
|
|
||
| TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 245 |
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS |
|
|
