STP80NF12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP80NF12 (ST MICROELECTRONICS)	38	379.04

Версия для печати

Технические характеристики STP80NF12

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	189nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4300pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP80NF12 (MOSFET)

N-channel 120V - 0.013? - 80A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP80NF12 datasheet
250.7 Кб