STP80NF12

Версия для печати

Технические характеристики STP80NF12

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	189nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4300pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP80NF12 (MOSFET)

N-channel 120V - 0.013? - 80A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP80NF12 datasheet
250.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
179020.1		SIBA
179020.1
179020.1
179020.1		SIB
179020.1,6		SIBA
179020.1,6
GRM188R71E104KA01D		MURATA	132	2.07
GRM188R71E104KA01D		MURATA	15 360
GRM188R71E104KA01D		Murata Electronics North America
GRM188R71E104KA01D			184
GRM188R71E104KA01D		MUR	669 196	0.90 >500 шт. 0.30
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	MUR	1 600	18.09
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	MURATA
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
RC0603JR-0710KL		PHYCOMP
RC0603JR-0710KL		YAGEO	1 506 815	0.50 >1000 шт. 0.10
RC0603JR-0710KL		PHYCOMP
RC0603JR-0710KL		YAGEO	117 332
RC0603JR-0710KL				1.92 >100 шт. 0.96