IRLR024Z


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRLR024Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLR024Z
Версия для печати

Технические характеристики IRLR024Z

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs58 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs9.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds380pF @ 25V
Power - Max35W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR024Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR024Z datasheet
277.3 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    CDRH125NP-221MC     SUMIDA 1 775 38.73 
    CDRH125NP-221MC       Заказ радиодеталей 86.00 
    CDRH125NP-221MC     SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CDRH127NP-331MC     SUMIDA 2 108 59.17 
    CDRH127NP-331MC       Заказ радиодеталей 80.00 
    CDRH127NP-331MC     SUMIDA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CDRH127NP-331MC     SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   DC COMPONENTS 6 614 11.79 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S     2 608 3.41 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YJ 154 620 4.55 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   MIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KINGTRON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   КИТАЙ 52 22.68 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KINGTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KLS 4 437 10.33 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KOME 633 4.84 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   LGE Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   HOTTECH 151 023 3.73 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YANGJIE 20 576 5.12 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   SEP 8 2.58 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   ASEMI 6 5.87 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   JSCJ 280 8.57 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KUU 46 141 1.66 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   RUME 26 400 2.43 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   TRR 38 400 2.43 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   JSMICRO 45 880 3.40 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO 8 7.27 
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А   JOYIN Заказ радиодеталей цена радиодетали
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А     17 12.60 
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STB9NK50ZT4     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STB9NK50ZT4     ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STB9NK50ZT4       1 113.40 
    STB9NK50ZT4     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход