Версия для печати
Технические характеристики IRLR024Z

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	380pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRLR024Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRLR024Z datasheet 277.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	6 602	11.36
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		2 448	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	139 080	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 437	7.23
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	778	4.67
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	131 251	3.60
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	20 536	4.85
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.42
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.67
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	8.32
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	31 980	1.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	26 400	2.31
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	38 400	2.31
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	72 000	3.18
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.66
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FTDI
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB			560.00
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	КИТАЙ
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLO
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLOGY
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	4-7 НЕДЕЛЬ	183
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А		17	12.60
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G				4 000	12.78
		MBRA340T3G			ONS	10 541	20.40
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTO
		MBRA340T3G			ONSEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			KLS
		MBRA340T3G			TOKMAS	16 473	4.19
		MBRA340T3G			FUXIN	15 920	4.97
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STB9NK50ZT4				1	113.40
		STB9NK50ZT4			STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"