Версия для печати
Технические характеристики BCP53-16T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 591	7.61
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		1 165	3.24
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	52 636	2.60
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 360	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	327	4.46
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	54 918	1.75
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 532	4.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	3.04
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	6.54
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	22 663	2.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	9 200	2.00
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.15
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.45
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	416	2.72
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А		17	12.72
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	3	75.03
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A			76.64
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STB9NK50ZT4				1	113.40
		STB9NK50ZT4			STMicroelectronics
		VS-30CPQ150PBF			VISHAY/IR
		VS-30CPQ150PBF			VISHAY
		VS-30CPQ150PBF

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"