BCP53-16T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCP53-16T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	140	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BCP53-16T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CPC1030NTR		CLARE
CPC1030NTR		CPC
CPC1030NTR		CLARE CORP.
CPC1030NTR		IXYS
CPC1030NTR		СИНГАПУР
CPC1030NTR			240	97.13
CPC1030NTR		IXYS CORPORATION
CPC1030NTR		LITTELFUSE
CPC1030NTR		4-7 НЕДЕЛЬ	337
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А		17	12.72
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	3	75.03
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A			76.64
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
STB9NK50ZT4		ST MICROELECTRONICS
STB9NK50ZT4		ST MICROELECTRONICS SEMI
STB9NK50ZT4			1	113.40
STB9NK50ZT4		STMicroelectronics
VS-30CPQ150PBF		VISHAY/IR
VS-30CPQ150PBF		VISHAY
VS-30CPQ150PBF