Версия для печати
Технические характеристики NTD24N06LG

Power - Max	1.36W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA16-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...	ATMEL
		ATMEGA16-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...			280.80
		ATMEGA16-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION
		ATMEGA16-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		ATMEGA16-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...	MICRO CHIP	92	950.54
		ATMEGA16-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	3 625	8.52
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		965	2.73
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	30 659	4.91
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 176	9.30
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	304	5.08
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	54 969	4.29
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	5.54
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	3	3.47
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	10.98
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	14 800	1.99
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	2 400	2.14
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	37 200	2.31
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	15 124	2.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.82
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	80	3.25
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FTDI
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB			560.00
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	КИТАЙ
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLO
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLOGY
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	4-7 НЕДЕЛЬ
		KX-3H 7.37280 MHZ		Кварцевый резонатор 7,3728 МГц, HC-49U	GEYER ELECTRONIC
		KX-3H 7.37280 MHZ		Кварцевый резонатор 7,3728 МГц, HC-49U			54.00
		KX-3H 7.37280 MHZ		Кварцевый резонатор 7,3728 МГц, HC-49U	GEYER
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G				5 312	14.10
		MBRA340T3G			ONS	1	21.82
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTO
		MBRA340T3G			ONSEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			KLS
		MBRA340T3G			TOKMAS	12 371	8.84
		MBRA340T3G			FUXIN	6 786	8.93

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"