Версия для печати
Технические характеристики NTD24N06LG

Power - Max	1.36W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CDRH127NP-331MC			SUMIDA	273	63.48
		CDRH127NP-331MC					80.00
		CDRH127NP-331MC			SUMIDA
		CDRH127NP-331MC			SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	3 465	7.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		965	2.73
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	30 189	10.48
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 142	9.30
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	300	4.81
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	51 096	4.13
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	5.54
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	9.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	10 784	1.71
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	2 400	2.14
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	37 200	2.31
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.55
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	80	3.09
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А		17	11.16
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G				5 312	14.10
		MBRA340T3G			ONS	1	19.21
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTO
		MBRA340T3G			ONSEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			KLS
		MBRA340T3G			TOKMAS	35 168	7.84
		MBRA340T3G			FUXIN	1 441	8.35
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STB9NK50ZT4				1	113.40
		STB9NK50ZT4			STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"