Версия для печати
Технические характеристики NTD24N06LG

Power - Max	1.36W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	6 623	11.89
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		2 608	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	154 720	4.59
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 437	11.37
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	681	4.88
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	160 720	3.75
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	20 576	5.12
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.58
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.92
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	8.65
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	47 925	2.75
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	26 400	2.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	38 400	2.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	51 744	3.44
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.41
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FTDI
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB			560.00
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	КИТАЙ
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLO
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLOGY
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	4-7 НЕДЕЛЬ	488
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А		17	12.60
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		JNR13S500L		Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G				4 000	12.78
		MBRA340T3G			ONS	14 402	20.69
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			ON SEMICONDUCTO
		MBRA340T3G			ONSEMICONDUCTOR
		MBRA340T3G			KLS
		MBRA340T3G			TOKMAS	5	4.36
		MBRA340T3G			FUXIN	5 064	5.40
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STB9NK50ZT4				1	113.40
		STB9NK50ZT4			STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"