NTD24N06LG

Версия для печати

Технические характеристики NTD24N06LG

Power - Max	1.36W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CDRH125NP-221MC		SUMIDA	1 768	33.84
CDRH125NP-221MC				86.00
CDRH125NP-221MC		SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUMIDA	29 352	40.27
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)			124.00
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUM
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	КИТАЙ	63	89.89
CDRH127NP-331MC		SUMIDA	3 254	44.55
CDRH127NP-331MC				80.00
CDRH127NP-331MC		SUMIDA
CDRH127NP-331MC		SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А		17	12.60
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
STB9NK50ZT4		ST MICROELECTRONICS
STB9NK50ZT4		ST MICROELECTRONICS SEMI
STB9NK50ZT4			1	113.40
STB9NK50ZT4		STMicroelectronics