| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-47.0K 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
230 423
|
2.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
38 923
|
3.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
31 647
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 263 149
|
1.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
69 683
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 863
|
2.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 432 151
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
247 784
|
2.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
106 627
|
3.95
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
226 400
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
4
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
110 947
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 116
|
1.02
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
|
|
6.40
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
17 024
|
11.23
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT1
|
|
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
|
|
152.32
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2936M-5.0 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
144
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC
|
83 771
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
|
85 360
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
1 388
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
20
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
170
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YJ
|
226 742
|
2.07
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
HOTTECH
|
28 515
|
1.56
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE
|
45 600
|
1.15
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
SEMTECH
|
22 396
|
1.74
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
JSCJ
|
58 368
|
1.07
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KEEN SIDE
|
15 221
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMI
|
2 376
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
3000
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
5800
|
|
|
|