| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
MUR
|
6 939
|
6.13
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
MURATA
|
56
|
4.13
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 849
|
14.32
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
21
|
42.84
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
3 891
|
8.91
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
2500
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4810
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4864
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
11 903
|
2.43
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
43 240
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
84
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
47 136
|
1.99
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
20 978
|
1.55
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
6 100
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
6 826
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSMICRO
|
640
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
SCHRACK
|
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
|
41
|
1 352.56
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TE
|
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TE CONNECTIVITY LTD
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
232
|
299.63
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
|
8
|
52.00
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
YOUTAI
|
9 475
|
13.38
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
UMW
|
10 400
|
12.40
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
709
|
|
|