|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
22 240
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
21 200
|
1.26
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
400
|
4.91
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
954
|
2.48
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
27 200
|
1.52
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
12 000
|
1.75
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
11 504
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
2 198
|
1.90
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
15.88
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
41 306
|
4.86
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
40
|
6.67
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
52
|
3.52
|
|
|
|
LG400M0068BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 400 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
LG400M0068BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LG400M0068BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
2.56
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
INFINEON
|
53
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MOTOROLA
|
2 598
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
OTHER
|
308
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
412
|
|
|
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В
|
|
|
|
|