| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 470 КОМ 5% |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
|
|
|
|
|
|
CDRH127NP-221MC |
|
Катушка индуктивности в SMD корпусе на феррите 220мкГн, 20%, 1.16А, экранированная
|
SUMIDA
|
1 990
|
62.47
|
|
|
|
CDRH127NP-221MC |
|
Катушка индуктивности в SMD корпусе на феррите 220мкГн, 20%, 1.16А, экранированная
|
|
168
|
92.00
|
|
|
|
CDRH127NP-221MC |
|
Катушка индуктивности в SMD корпусе на феррите 220мкГн, 20%, 1.16А, экранированная
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
21 503
|
2.29
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
43 240
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
72
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
49 612
|
1.91
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
21 368
|
1.55
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 948
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
6 826
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4 684
|
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
520
|
|
|