| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB154 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
2 132
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROAD
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROADCOM
|
18
|
12.40
|
|
|
|
|
MCP4011T-202E/MC |
|
1 потенциометр, 2,1кОм, 64 позиций,Up / Down Protocol,Uп=1,8:5.5В, -40..+125°С
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP4011T-202E/MC |
|
1 потенциометр, 2,1кОм, 64 позиций,Up / Down Protocol,Uп=1,8:5.5В, -40..+125°С
|
|
|
108.00
|
|
|
|
|
MCP4011T-202E/MC |
|
1 потенциометр, 2,1кОм, 64 позиций,Up / Down Protocol,Uп=1,8:5.5В, -40..+125°С
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP4011T-202E/MC |
|
1 потенциометр, 2,1кОм, 64 позиций,Up / Down Protocol,Uп=1,8:5.5В, -40..+125°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
274
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
22 251
|
2.47
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 048
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
12 168
|
1.05
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
37 677
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
14 228
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 660
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
TK8A50D |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
TK8A50D |
|
|
|
1
|
226.80
|
|
|
|
|
TK8A50D |
|
|
1
|
|
|
|