| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
GRM319R71H224KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MUR
|
7 060
|
4.07
|
|
|
|
|
GRM319R71H224KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM319R71H224KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM319R71H224KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
|
|
268.00
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
32
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
21 548
|
2.67
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
44 840
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
408
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
16 508
|
1.09
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
27 416
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 565
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
7 722
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 320
|
13.43
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
|
3 038
|
26.33
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
MOSPEC
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
1
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
JSCJ
|
20
|
37.52
|
|