LMC662AIMX
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 2 |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 1.1 V/µs |
| Полоса пропускания | 1.4MHz |
| Ток - входного смещения | 0.002pA |
| Напряжение входного смещения | 1000µV |
| Ток выходной | 750µA |
| Ток выходной / канал | 40mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4.75 V ~ 15.5 V, ±2.38 V ~ 7.75 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
| Output Type | Rail-to-Rail |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 590КН7 |
|
(1990-92г) |
|
2 640.00 | ||||
| 590КН7 |
|
(1990-92г) | СВЕТЛАНА | 1 | 630.00 | |||
| 590КН7 |
|
(1990-92г) | СВЕТЛАНА-ПОЛУПРОВОДНИКИ |
|
|
|||
| 590КН7 |
|
(1990-92г) | RUS |
|
|
|||
| 590КН7 |
|
(1990-92г) | 1 |
|
|
|||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ONS |
|
|
|||||
| LM293DR2G |
|
13.20 | ||||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 624 |
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS | 37 | 20.51 | |||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS |
|
|
|||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 93 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor | 4 | 3.69 | |||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 5 474 | 1.68 | |||||
| ФРМ-2 КРАСНЫЕ |
|
|
