FDN327N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDN327N (FAIRCHILD.)	2 154	3-4 недели Цена по запросу
FDN327N (ONS)	418	12.12

Версия для печати

Технические характеристики FDN327N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	423pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN327N (MOSFET)

N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN327N datasheet
84.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SJ598	P-MOS 60V, 12A, 23W	NEC
2SJ598	P-MOS 60V, 12A, 23W			127.60
AOD409		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AOD409			608	19.93
AOD409		A&O	103	42.76
AOD409			608	19.93
AOD409		ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD409		YOUTAI	1 729	10.94
FDN5618P		FAIR
FDN5618P		FSC
FDN5618P		FAIRCHILD
FDN5618P		FAIRCHILD	24
FDN5618P		Fairchild Semiconductor
FDN5618P			7 040	8.42
FDN5618P		МАЛАЙЗИЯ
FDN5618P		ONS	9 611	22.14
FDN5618P		ONS-FAIR
FDN5618P		ON SEMICONDUCTOR
IRF7493TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7493TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER	463
IRF7493TRPBF		INFINEON	2 819	86.25
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTOR
NTD20P06LT4G		ONS
NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTOR
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTO