SQP-5W-5.1 ОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	NXP
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57		6	56.70
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	EIC	3 620	7.34
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	PHILIPS
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	VISHAY
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BYV26E	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	LGE
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)		1 301	45.42
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)	ФИЛИППИНЫ
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)	INFINEON
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	1	181.50
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ	191
SQP-5W22RJ (5ВТ,22 ,5%)
YM2409PTS1		BEETECH
YM2409PTS1		JIULONG
YM2409PTS1