| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
2W10 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
|
9 605
|
7.41
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
MIC
|
540
|
11.82
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
WUXI XUYANG
|
14
|
16.20
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
HOTTECH
|
2 737
|
9.10
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
PANJIT
|
14
|
30.28
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
MDD
|
147
|
8.31
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
YFW
|
74
|
8.49
|
|
|
|
|
2W10 |
|
|
LGE
|
40
|
11.25
|
|
 |
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
|
11
|
351.50
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
57.78
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
|
12
|
55.50
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
1
|
187.58
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
196.56
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
191
|
|
|
Версия для печати
