SQP-5W22RJ (5ВТ,22 ,5%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)		1 342	45.42
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)	ФИЛИППИНЫ
IRF9Z24N	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)	INFINEON
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	8	28.40
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ	191
SQP-5W-5.1 ОМ 5%
YM2409PTS1		BEETECH
YM2409PTS1		JIULONG
YM2409PTS1