| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
7 879
|
3.92
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
|
12 553
|
1.68
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
MIC
|
12
|
3.10
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
HOTTECH
|
8 773
|
2.92
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
1 031
|
1.42
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
288
|
263.38
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
483
|
366.75
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
26
|
219.53
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
2
|
378.47
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
RUME
|
1 392
|
142.70
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF |
|
Полупроводниковый компонент
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF |
|
Полупроводниковый компонент
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
68
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF |
|
Полупроводниковый компонент
|
INFINEON
|
352
|
35.13
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF |
|
Полупроводниковый компонент
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
|
8
|
462.50
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
57.78
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
|
12
|
55.50
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
1
|
|
|
|