2SK3878(F,T)


Купить 2SK3878(F,T) ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2SK3878(F,T) MOSFET N-CH 900V 9A SC-65 MOSFET N-CH 900V 9A SC-65
Версия для печати

Технические характеристики 2SK3878(F,T)

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
Power - Max150W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)2-16C1B (TO-247 N)
КорпусTO-3P(N)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


2SK3878(F,T) datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В     Заказ радиодеталей 592.00 
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   США Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   СОЕДИНЕННЫЕ ШТА Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9Z24N Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9Z24N Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)     1 342 45.42 
IRF9Z24N Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9Z24N Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   ONS 8 28.40 
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223     1 196.56 
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   4-7 НЕДЕЛЬ 191 цена радиодетали
    SQP-5W-5.1 ОМ 5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    YM2409PTS1     BEETECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
    YM2409PTS1     JIULONG Заказ радиодеталей цена радиодетали
    YM2409PTS1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход