| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
10 840
|
3.46
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
1
|
9.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
12
|
2.25
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
22 072
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
1.40
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
15 200
|
1.10
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
5
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20PU |
|
AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20PU |
|
AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V
|
|
1
|
1 360.80
|
|
|
|
ATMEGA168-20PU |
|
AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20PU |
|
AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20PU |
|
AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
|
2
|
226.80
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
134
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
|
11
|
353.40
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SS016M0010B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SS016M0010B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
|
|
|
|