|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
360 479
|
1.21
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
90 109
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
123
|
1.84
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.46
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
596 248
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
211 558
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
498 629
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
108 000
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
234 448
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
7 777
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
|
1
|
25.20
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
252
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
568
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BD138 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BFG31 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BFG31 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFG31 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFG31 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
|
3 200
|
2.78
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR100-6G |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
1 424
|
49.83
|
|
|
|
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
|
|
209.20
|
|